產(chǎn)品介紹：
主要用于測量：亞納秒至微秒時域的瞬態(tài)吸收光譜，包括：基態(tài)漂白 (GroundState Bleaching)、激發(fā)態(tài)吸收 (Excited State Absorption)、系間竄越 (Inter-system Cross)、三線態(tài)湮滅 (Triplet -triplet annihilation)、三線態(tài)的生成與衰減 (Raise time and decaytime)等；
籍此分析光化學、光生物學、光催化或光物理過程中的瞬態(tài)能量轉(zhuǎn)移、電子傳遞等信息。100 nJ(100 μW @1 kHz)低能量泵浦，對于有機光伏材料(OPV)、OLED、AIE材料的研究！350 - 2200 nm 波段，EOS的時間分辨率都是~1 ns。亞納秒脈沖白光激光作為探測光，2000 Hz探測頻率，CMOS光譜儀與探測光同步，采集~108時域范圍3D光譜，要~20 - 60 min! 大光譜范圍：350 - 2200 nm，標配 350 - 950 nm，可探測到典型的鈣鈦礦材料能級躍遷（~1.5 eV）。 探測光點~100μm，結(jié)合THS樣品架，可做微區(qū)掃描?？缮墳槁瓷?Diffused reflectance)瞬態(tài)吸收光譜儀，內(nèi)置Kubelka–Munk方程計算光吸收，漫反射與透射可切換使用。我們可提供包含亞納秒激光器的系統(tǒng)解決方案，用于OPV、OLED、金屬有機配合物等材料的電子轉(zhuǎn)移、空穴復合等研究。
產(chǎn)品參數(shù)：
時間分辨率 | <1 ns |
最小延時步進 | 100 ps |
時間窗口* | 400 μs，1kHz 泵浦激光時 |
適合激光頻率 | 10 - 1000 Hz |
探測波長 | 350 – 2200 nm （可選：450 - 2400 nm） |
Vis檢測器 | CMOS線陣列傳感器 |
數(shù)量 | 2 |
像素 | 1024 |
響應波長 | 200 - 1000 nm |
分辨率 | 2 nm (50 μm 狹縫時)，4 nm (200 μm 狹縫時) |
光譜范圍 | 600 nm (通常: 350 - 950 nm) |
采集速度 | 2400 條光譜/s（可選：10,000 條光譜/s），14bit |
NIR檢測器 | InGaAs線陣列傳感器 (選配) |
數(shù)量 | 2 |
像素 | 256 |
響應波長 | 800 - 1600 nm |
分辨率 | 5 nm (50 μm 狹縫時)，13 nm (200 μm 狹縫時) |
光譜范圍 | 800 nm (通常: 800 - 1600 nm) |
采集速度 | 2400 條光譜/s（可選：10,000 條光譜/s），14bit |
SWIR檢測器 | InGaAs線陣列傳感器 (選配) |
數(shù)量 | 2 |
像素 | 256 |
響應波長 | 1000 - 2600 nm |
分辨率 | 5 nm (50 μm 狹縫時)，13 nm (200 μm 狹縫時) |
光譜范圍 | 800 nm (可用: 1600 - 2200 nm) |
采集速度 | 2400 條光譜/s，14bit |
數(shù)據(jù)格式 | ASCII CSV (兼容Excel) |
數(shù)據(jù)采集軟件 | EOS |
數(shù)據(jù)分析軟件 | Surface Xplorer |
光學模塊體積 (長寬高) | 915 X 610 X 250 mm3 |
電子模塊體積 (長寬高) | 534 X 610 X 686 mm3 |
* 時間窗和激光頻率負相關(guān)，20Hz激光能夠獲得~48 ms 時間窗。
主要應用：
1. 染料敏化光伏材料(CdSe, PbS量子點)的超快電荷分離研究
2. 有機光電材料（OPV）的電荷分離、電子遷移
3. 鈣鈦礦光伏材料的電荷分離、電子傳遞
4. 半導體載流子遷移率非線性光吸收材料的激發(fā)態(tài)吸收
5. 有機發(fā)光材料(OLED)的單線態(tài)失活、系間竄越、生成三線態(tài)過程
6. 金屬配位卟啉類材料
7. 光催化過程的超快電荷轉(zhuǎn)移
